三星电子作为世界一流的科技企业，三星电子为世界各地的人创造了机会，通过不懈的创新和开拓，成功地在电视、智能手机、平板电脑、个人电脑、相机、家用电器、打印机、LTE系统、医疗设备、半导体和LED解决方案等领域实现了创新。
三星电子成立于1969年，现已发展成为世界领先的科技公司，其年销售额达到2167亿美元（折合228.7万亿韩元），其品牌也被公认为全球十强品牌。三星代理商的网络覆盖全球，最让三星 半导体代理商引以为豪的是丰富的创新人才，正是他们在推动着公司的不断成长。今天，三星电子拥有28.6万名员工，遍布80多个国家。

三星(中国)半导体有限公司是三星电子有限公司投资的全资子公司。公司于2012年9月开工建设，于2014年5月9日正式竣工。主要生产10纳米级NAND闪存芯片（V-NAND）。SAMSUNG代理商有限公司秉承“十全十美”的经营方针，力求打造“环美”、“人美”、“产美”的绿色半导体生产工厂，为西安本地的经济发展及环境保护事业作出贡献。

e-MMC based MCP

总体 eMCP 解决方案提供商


通过整合存储器技术，Samsung eMCP 在单一基片上结合了各种存储器技术，包括 eMMC 和移动 DRAM，例如 LPDDR1（低功率 DDR1）以及 LPDDR2 和 LPDDR3。

此灵活方法旨在提供以下优点，包括:
通过紧密耦合和密集定位存储器模块，以尽可能在较小的高密度封包中建立最短的互连线路，从而增强存储器和总体系统性能。
Samsung eMCP 将帮助您在快速发展的移动设备市场中保持竞争优势。Samsung eMCP 解决方案具有最低的电量消耗、较小的尺寸和较高的存储密度，为构建完整范围的高端消费电子设备奠定了存储器基础。
产品说明

基于 Samsung eMMC 的 MCP 产品



MV eMCP

由于移动应用市场发展很快，尤其是智能手机和平板电脑，我们的客户不得不获取各种存储器平台以与其设计相匹配。Samsung 通过提供多个 MCP 平台来满足此要求。

这就是为什么 Samsung代理商引入了称为 MVP 的新 MCP 产品阵容的原因。
MVP 是一款新的 Samsung 旗舰 MCP 产品，同时将 eMMC 和 LPDDR3 组合到了一个紧密封包中。
MVP 的价值诉求就是总体拥有成本 (TCO)。这就是为什么 Samsung 将我们最新的 LPDDR3 和 eMMC 5.0 融入到 MVP，从而降低其智能手机和平板电脑的客户总体拥有成本的原因。Samsung 承诺将不断创新和扩展 Smart Memory 产品阵容。

通过引入由 Samsung Smart Memory 生产的 MVP 产品阵容，我们的客户现在可以采用简单和统一的产品阵容。Samsung 相信，凭借高性能的 LPDDR3，我们的客户可以很好地适应移动世界中日新月异的变化。

ME eMCP

来自 Samsung 的最受欢迎的 MCP 产品阵容是 ME eMCP。它包含 eMMC 和 Samsung 的经实践检验和广泛使用的 LPDDR2。ME eMCP 的产品阵容能为我们的客户提供最丰富的产品组合，从热门的低端智能手机到高性能的智能手机，利用各种封包和配置来满足所有规格产品的需求。

MD eMCP

主要用于入门级细分市场中的移动设备，基于 LPDDR1 的此 eMCP 已可从市场购买，但产品阵容有限。

功能

单一解决方案封包中结合多种存储器技术
Samsung MCP 在单一基片上结合了各种存储器技术，包括使用 LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR1 移动 DRAM 的 eMMC。此灵活方法旨在提供:
通过紧密耦合和密集定位存储器模块，以尽可能在较小的高密度封包中建立最短的互连线路，从而增强存储器和总体系统性能。
通过紧密耦合和密集定位存储器模块，以尽可能在较小的高密度封包中建立最短的互连线路，从而增强存储器和总体系统性能。
由于简化了制造流程并且节省了成本，因而降低了物料费用。
通过快速集成 MCP 模块加快了上市时间，并且提高了产品开发的速度。
先进的处理技术 – 从制造厂到移动设备
许多 Samsung MCP 都是使用公司的低功耗存储器技术（闪存和 DRAM）而构建，因此最大限度降低了移动设备消耗的电量。
内核 Samsung MCP 技术利用了公司在晶片薄化、晶片堆叠和引线接合方面的专业技术。
Samsung MCP 中包含的存储器使用先进的流程技术制造，包括 20 纳米等级。
按照一致方式使用封包和空间使得在不同 Samsung MCP 组合之间扩展变得更容易。
Samsung eMCP 产品组合包括各种存储器和封包配置。最常见的组合为 eMMC 16GB+LPDDR3 16Gb(MV16GB.16Gb)、eMMC 16GB + LPDDR2 16Gb (ME16GB.8Gb) 和 eMMC 4GB+LPDDR2 4Gb (ME4GB.4Gb)。

三星半导体 NAND based MCP 产品目录

　

部件编号.	eMMC 密度	RAM 密度	NAND 组织	封包	类型	生产状态
KMVUS000LM-B304	8GB	0.0625GB	x8	169-FBGA-12.0X16.0	Mux
KMR8X0001M-B608	2GB	2GB	x8	221-FBGA-11.5X13.0
KMQ7X000SA-B315	8GB	1GB	x8	221-2CE, DDP(HF)-11.5X13.0
KMQ7U000SM-B311	8GB	1GB	x8	221-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMQ5U000SM-B311	4GB	1GB	x8	221-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMN9W000RM-B205	2GB	0.25GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMN5W000ZM-B207	4GB	0.5GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0
KMN5W000RM-B207	4GB	0.5GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMN5U000ZA-B205	4GB	0.5GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KML5U000HM-B505	4GB	1GB	x8	153-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMKUS000VM-B410	8GB	1GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMK8X000VM-B412	16GB	1GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0
KMK8U000VM-B410	16GB	1GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMK7X000VM-B314	8GB	1GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMK7U000VM-B309	8GB	1GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMK5X000VM-B314	4GB	1GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMK5U000VM-B309	4GB	1GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0	Mux
KMK3U000VM-B410	16GB	1GB	x8	186-FBGA-12.0X16.0	Mux
KMK2U000VM-B604	32GB	1GB	x8	186-FBGA-12.0X16.0	Mux
KMK1U000VM-BA04	64GB	1GB	x8	186-FBGA-12.0X16.0	Mux

　

部件编号.	eMMC 密度	RAM 密度	NAND 组织	封包	类型	生产状态
KMJJS000WA-B409	4GB	0.75GB	x8	153-FBGA-11.5X13.0
KMI8X000MM-B606	16GB	2GB	x8	162-FBGA-11.5X13.0
KMI8U000MA-B605	16GB	2GB	x8	186-FBGA-12.0X16.0